30V 2x10A/25° 8.1A/70° 13.4mO +12V *L , 2W Rthja=62.5°C/W dual SO1
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | IRF7335D1 |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET+Diode (FETKY) |
Konfiguracja: | Half Bridge |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 2*FET-BD+1*D |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | SO-14 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Nie |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 0.3 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 55 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 30 [V] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 10 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 8.1 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1 [VDC] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 2 [W] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 13.4 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 31 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 13 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1500 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | SO- 14 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 62.5 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 1.27 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 6 [mm] |
L - Długość | 8.65 [mm] |
W - Szerokość | 3.9 [mm] |
H - Wysokość | 1.75 [mm] |
PIN wymiary | 0,41x0,25 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1 [mm] |