Trans IGBT Module N-CH 1700V 779A
ID Code: | 171269 |
Producent: | Semikron |
Cena z VAT : | 891,875914 € |
Cena bez VAT : | 737,087532 € |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | SEMiX854GB176HDs |
Magazyn centralny Zdice: | 0 szt |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
1 + | 737,087532 € | 891,875914 € | ||
4 + | 276,427583 € | 334,477375 € | ||
24 + | 230,349733 € | 278,723177 € | ||
96 + | 214,226437 € | 259,213989 € |
Oznaczenie producenta | SEMiX854GB176HDs |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Budowa: | 2*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMiX-4s |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 480 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 4 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 779 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 549 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.7 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 80 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 155 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 5600 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 52800 pF |
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 183x69x23 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.045 [°C/W] |
L - Długość | 183 [mm] |
W - Szerokość | 69 [mm] |
H - Wysokość | 23 [mm] |