Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

SEMiX854GB176HDs

Trans IGBT Module N-CH 1700V 779A

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
SEMiX854GB176HDs Semikron
SEMiX854GB176HDs Semikron
SEMiX854GB176HDs Semikron
szt
ID Code:171269
Producent:Semikron
Cena z VAT : 891,875914 €
Cena bez VAT : 737,087532 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: SEMiX854GB176HDs
Magazyn centralny Zdice: 0 szt
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
1 + 737,087532 €891,875914 €
4 + 276,427583 €334,477375 €
24 + 230,349733 €278,723177 €
96 + 214,226437 €259,213989 €
IGBT 1700V

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaSEMiX854GB176HDs 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguracja:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Budowa:2*(IGBT+D) 
Liczba obwodów 2 ks
Rodzaj sprawy:Modul 
Obudowa [inch] :SEMiX-4s 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:480 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)779 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)549 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.7 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)[V]
tr (Turn-on / rise time)80 [ns]
tf (turn-off=fall time)155 [ns]
Qg (Total Gate Charge)5600 [nC]
Cin/CL Load Capacitance52800 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Wymiary (L*W*H) [mm]:183x69x23 
Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)125 [°C]
Rthjc (case)0.045 [°C/W]
L - Długość 183 [mm]
W - Szerokość 69 [mm]
H - Wysokość 23 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! SEMiX854GB176HDs Semikron

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji