Trans IGBT Module N-CH 1200V 913A
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | SKM600GA12T4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | single 1*(T+D) |
Budowa: | 1*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMITRANS-4 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 314 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 12 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 913 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 702 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.14 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 5700000 [A2s] |
tr (Turn-on / rise time) | 90 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 100 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 3400 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 37200 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 106x61x37 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.049 [°C/W] |
L - Długość | 106 [mm] |
W - Szerokość | 61 [mm] |
H - Wysokość | 37 [mm] |