Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

2N6661

MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 90V, 4 Ohm

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
szt
ID Code:196706
Producent:Microchip Technology
Cena z VAT : 22,332215 €
Cena bez VAT : 18,456376 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: 2N6661
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
1 + 18,456376 €22,332215 €
5 + 17,685748 €21,399755 €
10 + 16,917094 €20,469684 €
25 + 14,797079 €17,904466 €
3 TO-39 BAG

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producenta2N6661 
Typ składnika:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguracja:Single 1*(T-BD) 
Specyfikacja:Enhancement Mode 
Budowa:1*FET-BD 
Liczba obwodów 1 ks
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Małe opakowanie (liczba sztuk):500 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 90 [V]
UF (maximum forward voltage)1.2 [VDC]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)6.25 [W]
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)5000 [mΩ]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)4000 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)350 [ns]
tr (Turn-on / rise time)10 [ns]
tf (turn-off=fall time)10 [ns]
Cin/CL Load Capacitance50 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-55 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]

!_potrebujete poradit ?_! 2N6661 Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji