Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

ACR3200VR33

Bypass Thyristor 3300V/3200A for the protection of IGBT modules in VSC multi-level applications

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
szt
ID Code:183764
Producent:Dynex Semiconductor
Cena z VAT : 929,1283 €
Cena bez VAT : 767,8746 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: ACR3200VR33
Magazyn centralny Zdice: 0 szt
Zewnętrzna pamięć (czas dostawy 5÷10 dni): 0 szt
Jednostki:: szt
!_prehled mnozstevnich slev_!
IlośćCena bez VATCena z VAT
1 + 767,8746 €929,1283 €
6 + 748,6778 €905,9001 €
The Dynex Bypass Thyristor range of devices is specially designed for the protection of IGBT modules in Voltage Source Converter multi-level applications, where a reduced forward blocking voltage is required. Very Low Cosmic Ray FIT Rating, High Surge Capability, High dv/dt Rating
The primary characteristic of the bypass thyristor which determines current diversion from the IGBT diode is dynamic on-state voltage, with overall turn-on time a secondary influence. Highly optimised, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass thyristor devices have been produced for VSC protection.
Voltage Source Converter (VSC) technology provides a number of advantages over traditional (LCC) HVDC including self-commutation, small footprint, and black start capability and is becoming increasingly popular in applications such as offshore wind.With higher voltage systems, where the current handling capability of the IGBT diode is reduced, effective current diversion becomes essential.

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaACR3200VR33 
Type of casing:!_puk_! 
Obudowa:!_puk110/73x27t_! 
KategorieTrisil-Overvoltage Protection 
Typ składnika:TRISIL 
Konfiguracja:1xTyrystor 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA

Parametry elektryczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)3200 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)3200 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)400 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)9240 [1000*A2s]
tf (turn-off=fall time)3000 [ns]

Materiał, kolor, wzór:

Rodzaj materiału:!_si-silicon_! 

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)125 [°C]
Rthjc (case)0.00746 [°C/W]
Fmin:48000 [N]
Fmax:59000 [N]

Wymiary:

PIN wymiary0.00 [mm]

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:1100 [g]
Opakowania:

!_souvisejici zbozi_! - ACR3200VR33

H.CD01/102/28kN/L180 H.CD01/102/28kN/L180   Clamps 28kN, Axial Length L1=102mm, Length L=180mm
ID: 107043   Oznaczenie producenta: CD01/102/28kN/L180  
na życzenie
Producent: PADA engineering  
Wszystkie ceny podane są bez VAT i nie obejmują koszty przesyłki, które zostaną dodane do zamówienia jako oddzielna pozycja.

Zapytanie ACR3200VR33

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Zapytanie:*
Proszę przepisać kod:* antispam
     Więcej informacji

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam
Copyright © www.semic.pl by Shop5.cz

© www.semic.pl

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji