- Home
- Półprzewodniki
- Tranzystory
- FET
- N - channel
- APT10M11JVFR
APT10M11JVFR
N-channel MOSFET SOT-227B , 0,011 Ohm, 100V / 144A
| ID Code: | 186539 |
| Producent: | Microchip Technology |
| Cena z VAT : | 81,570236 € |
| Cena bez VAT : | 67,413418 € |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | Zamówić |
| Całkowity czas: | 0 szt |
| Oznaczenie producenta: | APT10M11JVFR |
| Oczekiwany: | 6; 20.07.2024 |
| Czas realizacji fabryki: | 42wk-49wk |
| Jednostki:: | szt |
| Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
| 1 + | 67,413418 € | 81,570236 € | ||
| 5 + | 64,605581 € | 78,172753 € | ||
| 10 + | 61,796952 € | 74,774312 € | ||
| 25 + | 58,987928 € | 71,375393 € |
N-channel MOSFET SOT-227B , 0,011 Ohm, 100V / 144A
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | APT10M11JVFR |
| Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
| Typ składnika: | FET Tranzistor |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
| Specyfikacja: | Enhancement Mode |
| Budowa: | 1*FET-BD |
| Liczba obwodów | 1 ks |
| Rodzaj sprawy: | Modul |
| Obudowa [inch] : | SOT-227 |
| Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
| Material Base | No Info |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 36 [g] |
| Rodzaj opakowania: | TUBE |
| Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
Parametry elektrofizyczne:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 100 [V] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 450 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 11 [mΩ] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 420 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 96 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 18 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 450 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 10380 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Wymiary (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.28 [°C/W] |
| Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
| RM - Pitch pins | 15 [mm] |
| RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
| D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
| L - Długość | 38.1 [mm] |
| W - Szerokość | 25.3 [mm] |
| H - Wysokość | 12 [mm] |