Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 347000mW
ID Code: | 187839 |
Producent: | Microchip Technology |
Cena z VAT : | 56,676935 € |
Cena bez VAT : | 46,840442 € |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | APT40GF120JRDQ2 |
Czas realizacji fabryki: | 42wk-49wk |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
1 + | 46,840442 € | 56,676935 € | ||
5 + | 44,888231 € | 54,314760 € | ||
10 + | 42,936414 € | 51,953061 € | ||
25 + | 40,984992 € | 49,591840 € |
Oznaczenie producenta | APT40GF120JRDQ2 |
Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
Typ składnika: | IGBT-NPT |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | single 1*(T+D) |
Budowa: | 1*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SOT-227 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 36 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 80 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 42 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 347 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 43 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 70 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 340 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 3460 pF |
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.36 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.1 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 15 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
L - Długość | 38.1 [mm] |
W - Szerokość | 25.3 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |