- Home
- Półprzewodniki
- Tranzystory
- IGBT
- Full Silicon
- APT50GN120L2DQ2G
APT50GN120L2DQ2G
IGBT, 1200V NPT Field Stop, 134A, 543W, TO-264Max
| ID Code: | 187630 |
| Producent: | Microchip Technology |
| Cena z VAT : | 25,670581 € |
| Cena bez VAT : | 21,215356 € |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | na życzenie |
| Całkowity czas: | 0 szt |
| Oznaczenie producenta: | APT50GN120L2DQ2G |
| Czas realizacji fabryki: | 42wk-49wk |
| Jednostki:: | szt |
| Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
| 1 + | 21,215356 € | 25,670581 € | ||
| 5 + | 20,330117 € | 24,599442 € | ||
| 10 + | 19,446520 € | 23,530289 € | ||
| 25 + | 18,562513 € | 22,460641 € |
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | APT50GN120L2DQ2G |
| Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
| Typ składnika: | IGBT-Fieldstop |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguracja: | single 1*(T+D) |
| Budowa: | 1*(IGBT+D) |
| Liczba obwodów | 1 ks |
| Rodzaj sprawy: | THT |
| Obudowa [inch] : | TO-264 |
| Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 12 [g] |
| Rodzaj opakowania: | TUBE |
| Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
Parametry elektrofizyczne:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 134 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 66 [A] |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.7 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 543 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 27 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 205 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 315 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 3600 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Wymiary (L*W*H) [mm]: | TO-264 |
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.23 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.61 [°C/W] |
| RM - Pitch pins | 5.45 [mm] |
| Number of Pins | 3 |
| D - Średnica zewnętrzna | 3.25 [mm] |
| L - Długość | 26 [mm] |
| W - Szerokość | 20 [mm] |
| H - Wysokość | 5 [mm] |
| PIN wymiary | 1,3 [mm] |
| Lv - Length of outlets | 20 [mm] |