- Home
- Półprzewodniki
- Tranzystory
- IGBT
- Full Silicon
- APT70GR120JD60
APT70GR120JD60
Trans IGBT Module N-CH 1200V 112A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube
| ID Code: | 187870 |
| Producent: | Microchip Technology |
| Cena z VAT : | 55,002710 € |
| Cena bez VAT : | 45,456785 € |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | na życzenie |
| Całkowity czas: | 0 szt |
| Oznaczenie producenta: | APT70GR120JD60 |
| Czas realizacji fabryki: | 42wk-49wk |
| Jednostki:: | szt |
| Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
| 1 + | 45,456785 € | 55,002710 € | ||
| 5 + | 43,561486 € | 52,709398 € | ||
| 10 + | 41,667830 € | 50,418074 € | ||
| 25 + | 39,773763 € | 48,126253 € |
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | APT70GR120JD60 |
| Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
| Typ składnika: | IGBT-NPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguracja: | single 1*(T+D) |
| Budowa: | 1*(IGBT+D) |
| Liczba obwodów | 1 ks |
| Rodzaj sprawy: | Modul |
| Obudowa [inch] : | SOT-227 |
| Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 36 [g] |
| Rodzaj opakowania: | TUBE |
| Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
Parametry elektrofizyczne:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 112 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 70 [A] |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 543 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 48 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 64 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 412 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 7260 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Wymiary (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.23 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.56 [°C/W] |
| RM - Pitch pins | 15 [mm] |
| RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
| D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
| L - Długość | 38.1 [mm] |
| W - Szerokość | 25.3 [mm] |
| H - Wysokość | 12 [mm] |