- Home
- Półprzewodniki
- Tranzystory
- IGBT
- Full Silicon
- APT75GT120JRDQ3
APT75GT120JRDQ3
Trans IGBT Module N-CH 1200V 97A 480000mW 4-Pin SOT-227 Tube
| ID Code: | 187871 |
| Producent: | Microchip Technology |
| Cena z VAT : | 70,99 € |
| Cena bez VAT : | 58,67 € |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | na życzenie |
| Całkowity czas: | 0 szt |
| Oznaczenie producenta: | APT75GT120JRDQ3 |
| Magazyn centralny Zdice: | 0 szt |
| Jednostki:: | szt |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Ilość | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
| 1 + | 58,67 € | 70,99 € | ||
| 5 + | 56,23 € | 68,03 € | ||
| 10 + | 53,78 € | 65,07 € | ||
| 25 + | 51,34 € | 62,12 € |
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | APT75GT120JRDQ3 |
| Typ składnika: | IGBT-NPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguracja: | single 1*(T+D) |
| Budowa: | 1*(IGBT+D) |
| Liczba obwodów | 1 ks |
| Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| Type of casing: | MODUL |
| Obudowa: | SOT-227 |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 36 [g] |
| Rodzaj opakowania: | TUBE |
| Małe opakowanie (liczba sztuk): | 30 |
Parametry elektrofizyczne:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 97 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 97 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 42 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UCE (sat) (@25°C) | 3.2 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 480 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 65 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 500 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 5100 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.26 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.56 [°C/W] |
| RM - Pitch pins | 15 [mm] |
| RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
| Number of Pins | 4 |
| D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
| W - Szerokość | 25.3 [mm] |
| L - Długość | 38.1 [mm] |
| H - Wysokość | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | SOT-227 [mm] |