- Home
- Półprzewodniki
- Tranzystory
- IGBT
- Full Silicon
- APT80GA90LD40
APT80GA90LD40
PT IGBT, 900V, 145A, 625W, TO-264
| ID Code: | 187790 |
| Producent: | Microchip Technology |
| Cena z VAT : | 20,891193 € |
| Cena bez VAT : | 17,265449 € |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | na życzenie |
| Całkowity czas: | 0 szt |
| Oznaczenie producenta: | APT80GA90LD40 |
| Czas realizacji fabryki: | 42wk-49wk |
| Jednostki:: | szt |
| Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
| 1 + | 17,265449 € | 20,891193 € | ||
| 5 + | 16,545268 € | 20,019774 € | ||
| 10 + | 15,825908 € | 19,149349 € | ||
| 25 + | 15,106549 € | 18,278924 € |
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | APT80GA90LD40 |
| Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
| Typ składnika: | IGBT-PT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguracja: | single 1*(T+D) |
| Budowa: | 1*(IGBT+D) |
| Liczba obwodów | 1 ks |
| Rodzaj sprawy: | THT |
| Obudowa [inch] : | TO-264 |
| Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 12 [g] |
| Rodzaj opakowania: | TUBE |
| Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
Parametry elektrofizyczne:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 145 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 80 [A] |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 625 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 29 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 85 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 200 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 4560 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Wymiary (L*W*H) [mm]: | TO-264 |
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.2 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.61 [°C/W] |
| RM - Pitch pins | 5.45 [mm] |
| Number of Pins | 3 |
| D - Średnica zewnętrzna | 3.25 [mm] |
| L - Długość | 26 [mm] |
| W - Szerokość | 20 [mm] |
| H - Wysokość | 5 [mm] |
| PIN wymiary | 1,3 [mm] |
| Lv - Length of outlets | 20 [mm] |