Inteligent Power Module - IGBT 1200V - Half Bridge, Trench + Field Stop IGBT3 Technology with drivers and a protection
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | APTLGT300A1208G |
Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
Kategorie | IGBT IPM-Inteligent |
Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Budowa: | 2*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | LP8 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 570 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 440 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 300 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.1 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.7 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1400 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 170 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 40 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 70 [ns] |
Cin/CL Load Capacitance | 21000 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 110x84x27 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.09 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.16 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.54 [mm] |
L - Długość | 110.6 [mm] |
W - Szerokość | 84.4 [mm] |
H - Wysokość | 27.2 [mm] |
PIN wymiary | 0,64 [mm] |
Lv - Length of outlets | 11 [mm] |