Single MOSFET Power Module 1200V/171A Rdson = 70m?Ohm / Power MOS 7® with Series diodes
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | APTM120UM70DAG |
Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD+SeriesD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 2*FET-BD+1*D |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SP6-2 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 330 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 126 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 5000 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 80 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 400 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 62 [ns] |
f max | 50 [kHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 1650 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 43500 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 108x62x17 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.025 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 6 [mm] |
L - Długość | 108 [mm] |
W - Szerokość | 62 [mm] |
H - Wysokość | 17 [mm] |
PIN wymiary | 2,8 [mm] |
Lv - Length of outlets | 4 [mm] |