Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

BAS35

120V 2x200mA Uf<750mV/10mA trr<50ns , 250mW/25°C

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
BAS35 NXP Semiconductors (Philips)
BAS35 NXP Semiconductors (Philips)
szt
ID Code:133457
Producent:NXP Semiconductors (Philips)
Cena z VAT : 0,0982 €
Cena bez VAT : 0,0812 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: BAS35
Jednostki:: szt
120V 2x200mA Uf<750mV/10mA trr<50ns , 250mW/25°C

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaBAS35 
Type of casing:SMD 
Obudowa:SOT- 23/3 
KategorieDiode Fast SMD 
Typ składnika:!_diode fast_! 
Konfiguracja:2xDiode, com.anode 
Rodzaj materiału:!_si-silicon_! 
Gap (według numeru produktu) 999.99 [mm]
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:0.09 [g]
Małe opakowanie (liczba sztuk):3000 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 120 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)0.25 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)0.25 [A]
UF (maximum forward voltage)[VDC]
IR (reverse current)0.1 [µA]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)0.25 [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)50 [ns]

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)[°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthja (ambient)500 [°C/W]
PIN wymiary0.00 [mm]

Zapytanie BAS35

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Zapytanie:*
Proszę przepisać kod:* antispam
     Więcej informacji

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam
Copyright © www.semic.pl by Shop5.cz

© www.semic.pl

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji