BAS85
30V 100mA 0.25W 0.8V/100mA ,
| ID Code: | 133502 |
| Producent: | NXP Semiconductors (Philips) |
| Cena z VAT : | 0,0802 € |
| Cena bez VAT : | 0,0663 € |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | W magazynie |
| Całkowity czas: | 3177 szt |
| Oznaczenie producenta: | BAS85 |
| Magazyn centralny Zdice: | 3177 szt |
| Jednostki:: | szt |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Ilość | Cena bez VAT | Cena z VAT |
| 5 + | 0,0663 € | 0,0802 € |
| 100 + | 0,0589 € | 0,0713 € |
30V 100mA 0.25W 0.8V/100mA ,
| Gap (według numeru produktu) | 999.99 [mm] |
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | BAS85 |
| Type of casing: | SMD |
| Obudowa: | SOD-80C |
| Kategorie | Diode Schottky Silicon |
| Typ składnika: | !_diode schottky smd_! |
| Konfiguracja: | 1xDiode |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Parametry elektryczne:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 30 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 0.2 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 0.2 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 0.8 [VDC] |
| IR (reverse current) | 2.3 [µA] |
| du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Materiał, kolor, wzór:
| Rodzaj materiału: | !_si-silicon_! |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
| Rthja (ambient) | 320 [°C/W] |
Wymiary:
| PIN wymiary | 0.00 [mm] |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 0.05 [g] |
| Opakowania: | 2500 |
Alternatywy i zamienniki
| Alternatywne produkty 1: | LL42 |
| Alternatywne produkty 2: | TMMBAT42 |
| Alternatywne produkty 3: | LL103B |
Copyright © www.semic.pl by
Shop5.cz