Operating voltage Us=5.0÷34V; Overvoltage protection=41V; Ron<30mO; Nominal load current=12.6A; lim=24A; Rthjc=1,47°C/W
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | BTS640S2GATMA1 |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET Smart - High Side |
Konfiguracja: | High side |
Budowa: | 1*Smart FET |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | D2-PAK/7 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 3.7 [g] |
Rodzaj opakowania: | K33B |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1000 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 34.0 [V] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 12.6 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 4.5 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 41.6 [W] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 30 [mΩ] |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | D2-PAK |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 1.47 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 85 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 1.27 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 7.62 [mm] |
Number of Pins | 5 |
L - Długość | 10.25 [mm] |
W - Szerokość | 10 [mm] |
H - Wysokość | 4.4 [mm] |
T - grubość | 1.27 [mm] |
PIN wymiary | 0,6x0,5 [mm] |
Lv - Length of outlets | 2.7 [mm] |