1700V Mosfet SiC
ID Code: | 181815 |
Producent: | Cree |
Cena z VAT : | 12,288876 € |
Cena bez VAT : | 10,156096 € |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | C2M1000170J |
Magazyn centralny Zdice: | 0 szt |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
1 + | 10,156096 € | 12,288876 € | ||
6 + | 9,662122 € | 11,691168 € | ||
13 + | 9,152341 € | 11,074333 € | ||
25 + | 8,642561 € | 10,457499 € |
Oznaczenie producenta | C2M1000170J |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguracja: | single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | SiC Enhancement Mode MOSF |
Budowa: | 1*FET-BD |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | TO-263/7 |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 2.68 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 50 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 3.6 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 78 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 20 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 5 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 40 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 13 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 200 pF |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 1.5 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |