Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

C2M1000170J

1700V Mosfet SiC

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
C2M1000170J Cree
C2M1000170J Cree
szt
ID Code:181815
Producent:Cree
Cena z VAT : 12,288876 €
Cena bez VAT : 10,156096 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: C2M1000170J
Magazyn centralny Zdice: 0 szt
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
1 + 10,156096 €12,288876 €
6 + 9,662122 €11,691168 €
13 + 9,152341 €11,074333 €
25 + 8,642561 €10,457499 €
1700V Mosfet SiC

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaC2M1000170J 
Typ składnika:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguracja:single 1*(T-BD) 
Specyfikacja:SiC Enhancement Mode MOSF 
Budowa:1*FET-BD 
Rodzaj sprawy:SMD 
Obudowa [inch] :TO-263/7 
Rodzaj materiału:SiC Full 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:2.68 [g]
Rodzaj opakowania:TUBE 
Małe opakowanie (liczba sztuk):50 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)3.6 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)78  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)20 [ns]
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf (turn-off=fall time)40 [ns]
Qg (Total Gate Charge)13 [nC]
Cin/CL Load Capacitance200 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-55 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthjc (case)1.5 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]

!_potrebujete poradit ?_! C2M1000170J Cree

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji