1200V 24A/25°C 13A/100°C 160mO ,134W/25°C Rthjc=0.66°C/W
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | CMF10120D |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguracja: | single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | SiC N-Channel MOSFET |
Budowa: | 1*FET-BD |
Rodzaj sprawy: | THT |
Obudowa [inch] : | TO-247AC_3 |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 7.2 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 25 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 13 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 134 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 138 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 47.1 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 928 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | TO-247 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 135 [°C] |
Rthjc (case) | 0.82 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 5.45 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Długość | 20 [mm] |
W - Szerokość | 15.6 [mm] |
H - Wysokość | 5 [mm] |
PIN wymiary | 1,20x0,60 [mm] |
Lv - Length of outlets | 14.6 [mm] |