DACMH 40N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 25A Half Bridge

!_prilohy_!:

Kliknij, aby powiększyć

DACMH40N1200_Da.pdf

ID Code:	185428
Producent:	Daco Semiconductor
Cena z VAT :	188,7152 €
Cena bez VAT :	155,9629 €
VAT:	21 %
Dostępność:	na życzenie
Całkowity czas:	0 szt
Oznaczenie producenta:	DACMH40N1200
Magazyn centralny Zdice:	0 szt
Zewnętrzna pamięć (czas dostawy 5÷10 dni):	0 szt
Jednostki::	szt

!_prehled mnozstevnich slev_!
Ilość	Cena bez VAT		Cena z VAT
1 +		155,9629 €		188,7152 €
3 +		153,9917 €		186,3300 €
5 +		152,0205 €		183,9448 €
10 +		150,9955 €		182,7045 €

Full SiC MOSFET 1200V / 25A Half Bridge

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producenta	DACMH40N1200
Kategorie	Full SiC (MOS-BD)
Typ składnika:	SiC MOSFET-BD
Konfiguracja:	Half Bridge
Specyfikacja:	!_sic enhancement mode mosf_!
Budowa:	2*FET-BD
Rodzaj materiału:	!_sic full_!
Material Base	No Info
RoHS	Tak
REACH	Nie
Type of casing:	MODUL
Obudowa:	SEMITRANS-2s
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Opakowania i wagi:

Jednostki:	szt
Waga:	200 [g]
Rodzaj opakowania:	BOX
Małe opakowanie (liczba sztuk):	12

Parametry elektrofizyczne:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V]
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	40 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	40 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	25 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	3000 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)	208 [W]
Input Logic Level (Ugs level)	20V
Rds(on) 10V (Ugs=10V)	80 [mΩ]
t_r (Turn-on / rise time)	24 [ns]
tf (turn-off=fall time)	9 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	129 [nC]
Cin/CL Load Capacitance	1800 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

T_min (minimalna temperatura robocza)	-50 [°C]
T_max (maksymalna temperatura robocza)	150 [°C]
Rthjc (case)	0.26 [°C/W]
W - Szerokość	34 [mm]
L - Długość	94 [mm]
H - Wysokość	30 [mm]
PIN wymiary	0.00 [mm]

!_souvisejici zbozi_! - DACMH 40N1200

I+SEMITRANS2- 34x 94=005W-AL Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-2, INT-A-PAK and size 34x94mm
ID: 181711 Oznaczenie producenta: F05-AL2-34x94mm