DACMH120N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 76A Half Bridge

!_prilohy_!:

Kliknij, aby powiększyć

DACMH120N1200_Da.pdf

ID Code:	183087
Producent:	Daco Semiconductor
Cena z VAT :	407,851178 €
Cena bez VAT :	337,067089 €
VAT:	21 %
Dostępność:	na życzenie

Całkowity czas:	0 szt
Oznaczenie producenta:	DACMH120N1200
Magazyn centralny Zdice:	0 szt
Jednostki::	szt

Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)	Cena bez VAT		Cena z VAT
1 +		337,067089 €		407,851178 €
3 +		332,752820 €		402,630912 €
5 +		328,478132 €		397,458540 €
10 +		326,301207 €		394,824460 €

Full SiC MOSFET 1200V / 76A Half Bridge

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producenta	DACMH120N1200
Typ składnika:	SiC MOSFET Tranzistor
Kategorie	Full SiC (MOS-BD)
Konfiguracja:	Half Bridge 1*(Phase Leg)
Specyfikacja:	SiC Enhancement Mode MOSF
Budowa:	2*FET-BD
Rodzaj sprawy:	Modul
Obudowa [inch] :	HB-9434
Rodzaj materiału:	SiC Full
RoHS	Tak
REACH	Nie
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Opakowania i wagi:

Jednostki:	szt
Waga:	185 [g]
Rodzaj opakowania:	BOX
Małe opakowanie (liczba sztuk):	12

Parametry elektrofizyczne:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V]
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	76 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	3000 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)	500 [W]
Input Logic Level (Ugs level)	20V
t_rr recovery time (If=Inom.,@25°C)	135 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	32 [ns]
tf (turn-off=fall time)	32 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	170 [nC]
Cin/CL Load Capacitance	4500 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

*Wymiary (LWH)* [mm]:	94x34x30
T_min (minimalna temperatura robocza)	-50 [°C]
T_max (maksymalna temperatura robocza)	150 [°C]
Rthjc (case)	0.22 [°C/W]
L - Długość	94 [mm]
W - Szerokość	34 [mm]
H - Wysokość	30 [mm]

Alternatywy i zamienniki

Alternatywne produkty 1:

CAS120M12BM2

!_souvisejici zbozi_! - DACMH120N1200

I+case 34x 94_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-2, INT-A-PAK and size 34x94mm
ID: 181711 Oznaczenie producenta: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2