N-channel MOSFET 200V / 180A
ID Code: | 179012 |
Producent: | Daco Semiconductor |
Cena z VAT : | 60,140309 € |
Cena bez VAT : | 49,702735 € |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | DAMI220N200 |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
1 + | 49,702735 € | 60,140309 € | ||
3 + | 47,086801 € | 56,975029 € | ||
4 + | 45,778835 € | 55,392390 € | ||
7 + | 44,470868 € | 53,809750 € |
Oznaczenie producenta | DAMI220N200 |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 1*FET-BD |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SOT-227 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 36 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 13 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 180 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 0.85 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 560 [W] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 7.8 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 300 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 44 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 48 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 335 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 46680 pF |
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -50 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.2 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 15 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
L - Długość | 38.1 [mm] |
W - Szerokość | 25.3 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |
Alternatywne produkty 1: | IXFN230N20T |
I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm ID: 181709 Oznaczenie producenta: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni
| Całkowity czas: 7491 Producent: SEMIC EU |