IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | DIM125PHM65-TS000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Budowa: | 2*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | MODUL-P |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 700 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 4 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 125 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 125 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 3.3 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.8 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 11000 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1850 [W] |
Esw (125°C) | 1200 [mJ] |
tr (Turn-on / rise time) | 340 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 450 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 2000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 20000 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 140x73x38 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.054 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.108 [°C/W] |
L - Długość | 140 [mm] |
W - Szerokość | 73 [mm] |
H - Wysokość | 38 [mm] |