Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

Hybrid SiC

Type of casing:(7)
Obudowa:(7)
Konfiguracja:(7)
Udc (URRM, UCEO, Umax)  [V] (7)
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) [A] (6)
Producent: Sortuj według: Widok:
DIM1200ESM33-MH00 DIM1200ESM33-MH00   Fast IGBT Module 3300V/1200A Single Fast SiC Diodes
ID: 185397   Oznaczenie producenta: DIM1200ESM33-MH00  
na życzenie
Producent: Dynex Semiconductor  
SEMiX603GB12E4SiCp SEMiX603GB12E4SiCp   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173637   Oznaczenie producenta: SEMiX603GB12E4SiCp  
na życzenie
Producent: Semikron  
SK50GH12T4T SK50GH12T4T   IGBT 1200V
ID: 177527   Oznaczenie producenta: SK50GH12T4T  
na życzenie
SKIM459GD12F4V3 SKIM459GD12F4V3   Hybrid SiC Trench IGBT Modules 1200V
ID: 186555   Oznaczenie producenta: SKiM459GD12F4V3  
Producent: Semikron  
SKM200GB12F4SiC2 SKM200GB12F4SiC2   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173633   Oznaczenie producenta: SKM200GB12F4SiC2  
na życzenie
Producent: Semikron  
SKM200GB12F4SiC3 SKM200GB12F4SiC3   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 185571   Oznaczenie producenta: SKM200GB12F4SiC3  
Producent: Semikron  
SKM200GB12T4SiC2 SKM200GB12T4SiC2   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173631   Oznaczenie producenta: SKM200GB12T4SiC2  
na życzenie
Producent: Semikron  
Wszystkie ceny podane są bez VAT i nie obejmują koszty przesyłki, które zostaną dodane do zamówienia jako oddzielna pozycja.

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji