Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

MG150G2YL1

NPN Darlington bipolární tranzistor

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
MG150G2YL1 Toshiba
MG150G2YL1 Toshiba
Nie ma już w magazynie
ID Code:157374
Producent:Toshiba
Cena: na życzenie
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: MG150G2YL1
Jednostki:: szt
NPN Darlington bipolární tranzistor

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMG150G2YL1 
Type of casing:MODUL 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Typ składnika:!_npn-darlington_! 
Konfiguracja:!_half bridge_! 
Rodzaj materiału:!_si-silicon_! 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:376 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):10 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)150 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)150 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)700  [W]
gain - hFE100÷ 

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
PIN wymiary0.00 [mm]

Alternatywy i zamienniki

Alternatywne produkty 1:QM150DY-H 
Alternatywne produkty 2:QM150DY-HK 
Alternatywne produkty 3:KD324515 

Zapytanie MG150G2YL1

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Zapytanie:*
Proszę przepisać kod:* antispam
     Więcej informacji

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam
Copyright © www.semic.pl by Shop5.cz

© www.semic.pl

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji