MG150Q2YS40
IGBT 1200V
Nie ma już w magazynie
| ID Code: | 157353 |
| Producent: | Toshiba |
| Cena: | na życzenie |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | na życzenie |
| Całkowity czas: | 0 szt |
| Oznaczenie producenta: | MG150Q2YS40_TS |
| Jednostki:: | szt |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Ilość | Cena bez VAT | Cena z VAT |
IGBT 1200V
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | MG150Q2YS40_TS |
| Type of casing: | MODUL |
| Obudowa: | SEMITRANS-3s |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguracja: | !_half bridge_! |
| Rodzaj materiału: | !_si-silicon_! |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 0.09 [g] |
| Rodzaj opakowania: | BOX |
| Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
Parametry elektrofizyczne:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 150 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 150 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2 [VDC] |
| UCE (sat) (@25°C) | 4 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1100 [W] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 500 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 600 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 500 [ns] |
| Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.01 [MHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 600 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 18000 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.11 [°C/W] |
| PIN wymiary | 0.00 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
| Alternatywa 1: | 137891 - SKM150GB12T4 &SK (SMK) |
!_souvisejici zbozi_! - MG150Q2YS40
 |
I+2MBI300- 62x108=005W-AL Thermally Conductive, Silicone free Shape for insulated Module with baseplate 62x108mm ID: 176028 Oznaczenie producenta: F05-AL2- 62x108mm | na życzenie Producent: - |
Wszystkie ceny podane są bez VAT i nie obejmują koszty przesyłki, które zostaną dodane do zamówienia jako oddzielna pozycja.
Copyright © www.semic.pl by
Shop5.cz