Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

MMUN2233LT1G

NPN bipolar transistor

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
MMUN2233LT1G ON Semiconductor (Farchild)
MMUN2233LT1G ON Semiconductor (Farchild)
szt
ID Code:135946
Producent:ON Semiconductor (Farchild)
Cena z VAT : 0,0156 €
Cena bez VAT : 0,0129 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: MMUN2233LT1G
Jednostki:: szt
!_prehled mnozstevnich slev_!
IlośćCena bez VATCena z VAT
1 + 0,0129 €0,0156 €
100 + 0,0111 €0,0134 €
500 + 0,0103 €0,0125 €
3000 + 0,0096 €0,0116 €
NPN bipolar transistor

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMMUN2233LT1G 
Type of casing:SMD 
Obudowa:SOT- 23/3 
KategorieBipolar NPN 
Typ składnika:!_npn_! 
Konfiguracja:single Transistor 
Rodzaj materiału:!_si-silicon_! 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:0.06 [g]
Rodzaj opakowania:K18A 
Małe opakowanie (liczba sztuk):3000 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 50 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)0.1 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)0.1 [A]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)0.4 [W]
gain - hFE80÷200 

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-55 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthja (ambient)508 [°C/W]
PIN wymiary0.00 [mm]

Zapytanie MMUN2233LT1G

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Zapytanie:*
Proszę przepisać kod:* antispam
     Więcej informacji

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam
Copyright © www.semic.pl by Shop5.cz

© www.semic.pl

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji