Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

MRA4007

1000V 1A/TL75°C 30A/8ms/25°C Uf<1.2V , Rtha<45°C/W

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
MRA4007 ON Semiconductor (Farchild)
MRA4007 ON Semiconductor (Farchild)
Nie ma już w magazynie
ID Code:141780
Producent:ON Semiconductor (Farchild)
Cena: na życzenie
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: MRA4007
Jednostki:: szt
!_prehled mnozstevnich slev_!
IlośćCena bez VATCena z VAT
1000V 1A/TL75°C 30A/8ms/25°C Uf<1.2V , Rtha<45°C/W

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMRA4007 
Type of casing:SMD 
Obudowa:SMA 
KategorieDiode Standard SMD 
Typ składnika:!_diode standard_! 
Konfiguracja:1xDiode 
Rodzaj materiału:!_si-silicon_! 
Gap (według numeru produktu) 999.99 [mm]
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:0.09 [g]
Rodzaj opakowania:K18A 
Małe opakowanie (liczba sztuk):5000 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1000 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)[A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)[A]
IF(AV) (Tc/Ta=150÷159°C)[A]
UF (maximum forward voltage)1.1 [VDC]
IR (reverse current)10 [µA]

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-50 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthja (ambient)88.3 [°C/W]
PIN wymiary0.00 [mm]

Zapytanie MRA4007

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Zapytanie:*
Proszę przepisać kod:* antispam
     Więcej informacji

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam
Copyright © www.semic.pl by Shop5.cz

© www.semic.pl

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji