1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | MSC040SMA120J |
Type of casing: | MODUL |
Obudowa: | SOT-227 |
Kategorie | Full SiC (MOS) |
Typ składnika: | !_n-mosfet_! |
Konfiguracja: | single Transistor |
Rodzaj materiału: | !_sic full_! |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 30 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 53 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 53 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 37 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 208 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 50 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 100 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 10 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.1 [MHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 137 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1990 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.27 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.48 [°C/W] |
Number of Pins | 3 |
PIN wymiary | 0.00 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
Alternatywa 1: | 183083 - DACMI 80N1200 (DAC) |
Alternatywa 2: | 183087 - DACMH120N1200 (DAC) |