1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET in an SOT-227 package, Id = 37A
ID Code: | 187567 |
Producent: | Microchip Technology |
Cena z VAT : | 39,721908 € |
Cena bez VAT : | 32,828023 € |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | MSC080SMA120J |
Czas realizacji fabryki: | 42wk-49wk |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
1 + | 32,828023 € | 39,721908 € | ||
5 + | 31,461706 € | 38,068664 € | ||
10 + | 27,742727 € | 33,568700 € | ||
25 + | 26,481694 € | 32,042850 € |
Oznaczenie producenta | MSC080SMA120J |
Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguracja: | single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | SiC N-Channel MOSFET |
Budowa: | 1*FET-BD |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SOT-227 |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 36 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 26 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 200 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 34 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 4 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 15 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 64 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 838 pF |
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.27 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.75 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 15 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
L - Długość | 38.1 [mm] |
W - Szerokość | 25.3 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |
I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm ID: 181709 Oznaczenie producenta: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni
| Całkowity czas: 7491 Producent: SEMIC EU |