SiC Diode 3 Phase Bridge Power Module 1200V/ 50A SP1
ID Code: | 188059 |
Producent: | Microchip Technology |
Cena z VAT : | 192,313732 € |
Cena bez VAT : | 158,936969 € |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | MSCDC50X1201AG |
Czas realizacji fabryki: | 42wk-49wk |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
1 + | 158,936969 € | 192,313732 € | ||
5 + | 152,315353 € | 184,301577 € | ||
10 + | 145,692946 € | 176,288465 € | ||
25 + | 139,070539 € | 168,275352 € |
Oznaczenie producenta | MSCDC50X1201AG |
Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
Typ składnika: | Bridge 3f Uncontrolled |
Kategorie | Bridge Schottky SiC |
Konfiguracja: | Bridge 3f |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SP1F |
Rodzaj materiału: | SiC |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 96 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 50 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 50 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C) | 35 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C) | 30 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
IR (reverse current) | 200 [µA] |
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 52x43x12 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.56 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 3.8 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 38 [mm] |
L - Długość | 51.6 [mm] |
W - Szerokość | 42.5 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |
PIN wymiary | 1,4 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.8 [mm] |
I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm ID: 181709 Oznaczenie producenta: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni
| Całkowity czas: 7491 Producent: SEMIC EU |