Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

MSCSM120AM027CT6AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SIC Diode

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
MSCSM120AM027CT6AG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM027CT6AG Microsemi / Microchip Technology
szt
ID Code:185287
Producent:Microsemi / Microchip Technology
Cena z VAT : 1 334,7275 €
Cena bez VAT : 1 103,0806 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: MSCSM120AM027CT6AG
Magazyn centralny Zdice: 0 szt
Zewnętrzna pamięć (czas dostawy 5÷10 dni): 0 szt
Jednostki:: szt
!_prehled mnozstevnich slev_!
IlośćCena bez VATCena z VAT
1 + 1 103,0806 €1 334,7275 €
3 + 1 013,2079 €1 225,9816 €
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M5 power connectors
. Internal thermistor for temperature monitoring
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMSCSM120AM027CT6AG 
Type of casing:MODUL 
Obudowa:!_modul-t6li_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Typ składnika:!_n-mosfet_! 
Konfiguracja:!_half bridge_! 
RoHSTak 
REACHTak 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Parametry elektryczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)584 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1800 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2970  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)3.5 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2088 [nC]
Cin/CL Load Capacitance27000 pF

Materiał, kolor, wzór:

Rodzaj materiału:!_sic full_! 
Material BaseCu 

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]

Wymiary:

PIN wymiary0.00 [mm]

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:350 [g]
Opakowania:

Alternatywy i zamienniki

Alternatywne produkty 1:MD400HFR120B3S 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM027CT6AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Oznaczenie producenta: F05-AL2-62x106mm  
Ilość [szt]1+10+
EUR/szt1,66021,5864
Całkowity czas: 914
Producent: -  
RoHS
Wszystkie ceny podane są bez VAT i nie obejmują koszty przesyłki, które zostaną dodane do zamówienia jako oddzielna pozycja.

Zapytanie MSCSM120AM027CT6AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Zapytanie:*
Proszę przepisać kod:* antispam
     Więcej informacji

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam
Copyright © www.semic.pl by Shop5.cz

© www.semic.pl

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji