Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

MSCSM120AM042CT6LIAG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

szt
ID Code:185959
Producent:Microchip Technology
Cena z VAT : 1 246,4566 €
Cena bez VAT : 1 030,1294 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: MSCSM120AM042CT6LIAG
Magazyn centralny Zdice: 0 szt
Zewnętrzna pamięć (czas dostawy 5÷10 dni): 0 szt
Jednostki:: szt
!_prehled mnozstevnich slev_!
IlośćCena bez VATCena z VAT
1 + 1 030,1294 €1 246,4566 €
5 + 987,2089 €1 194,5227 €
10 + 944,2867 €1 142,5869 €
25 + 901,3646 €1 090,6511 €
MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM02CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMSCSM120AM042CT6LIAG 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Typ składnika:!_sic mosfet+sic schottky diode_! 
Konfiguracja:!_half bridge_! 
Budowa:!_2*fet+2*d_! 
Rodzaj materiału:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSTak 
REACHNie 
Type of casing:MODUL 
Obudowa:!_modul-sp6li_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:320 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)495 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)495 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)395 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2031  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)5.2 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1392 [nC]
Cin/CL Load Capacitance18100 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.074 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
PIN wymiary0.00 [mm]

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM042CT6LIAG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Oznaczenie producenta: F05-AL2-62x106mm  
Ilość [szt]1+10+50+100+
EUR/szt1,84841,76631,72521,5198
Całkowity czas: 479
Producent: -  
RoHS
Wszystkie ceny podane są bez VAT i nie obejmują koszty przesyłki, które zostaną dodane do zamówienia jako oddzielna pozycja.

!_potrebujete poradit ?_! MSCSM120AM042CT6LIAG Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji