• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | MSCSM120AM16CT1AG |
Typ składnika: | Modul |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Specyfikacja: | !_sic n-channel mosfet_! |
Budowa: | 2*FET-BD+2*D |
Rodzaj materiału: | !_sic full_! |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
Type of casing: | MODUL |
Obudowa: | !_sp1f_! |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 90 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 4 |
Duży pakiet (PUDEŁKO): | 0 |
Paleta (liczba sztuk): | 0 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 173 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 173 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 138 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 745 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 16 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 464 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 6040 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.2 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.477 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 3.8 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 38 [mm] |
W - Szerokość | 42.5 [mm] |
L - Długość | 51.6 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 52x43x12 [mm] |
PIN wymiary | 1,4 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.8 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
Alternatywne produkty 1: | CAB011M12FM3 |