Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

MSCSM120AM16CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 138A

szt
ID Code:186151
Producent:Microchip Technology
Cena z VAT : 299,8037 €
Cena bez VAT : 247,7716 €
VAT:21 %
Dostępność:W magazynie
Całkowity czas:4 szt
Oznaczenie producenta: MSCSM120AM16CT1AG
Magazyn centralny Zdice: 4 szt
Zewnętrzna pamięć (czas dostawy 5÷10 dni): 0 szt
Jednostki:: szt
!_prehled mnozstevnich slev_!
IlośćCena bez VATCena z VAT
1 + 247,7716 €299,8037 €
5 + 237,4471 €287,3110 €
10 + 227,1234 €274,8194 €
25 + 216,7993 €262,3272 €
• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMSCSM120AM16CT1AG 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Typ składnika:!_sic mosfet+sic schottky diode_! 
Konfiguracja:!_half bridge_! 
Budowa:!_2*fet+2*d_! 
Rodzaj materiału:!_sic_! 
RoHSTak 
REACHNie 
Type of casing:MODUL 
Obudowa:!_modul-sp1f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:80 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)173 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)173 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)138 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)745  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)16 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)464 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6040 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.2 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.477 [°C/W]
PIN wymiary0.00 [mm]

Alternatywy i zamienniki

Alternatywne produkty 1:CAB011M12FM3 

!_potrebujete poradit ?_! MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji