- Home
- Półprzewodniki
- Tranzystory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120AM16CT1AG
MSCSM120AM16CT1AG
Full SiC MOSFET 1200V / 138A
!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
| ID Code: | 186151 |
| Producent: | Microchip Technology |
| Cena z VAT : | 302,9451 € |
| Cena bez VAT : | 250,3678 € |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | W magazynie |
| Całkowity czas: | 4 szt |
| Oznaczenie producenta: | MSCSM120AM16CT1AG |
| Magazyn centralny Zdice: | 4 szt |
| Jednostki:: | szt |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Ilość | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
| 1 + | 250,3678 € | 302,9451 € | ||
| 5 + | 239,9366 € | 290,3233 € | ||
| 10 + | 229,5046 € | 277,7005 € | ||
| 25 + | 219,0725 € | 265,0778 € |
• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | MSCSM120AM16CT1AG |
| Typ składnika: | Modul |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Specyfikacja: | !_sic n-channel mosfet_! |
| Budowa: | 2*FET-BD+2*D |
| Rodzaj materiału: | !_sic full_! |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| Type of casing: | MODUL |
| Obudowa: | !_sp1f_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 90 [g] |
| Rodzaj opakowania: | BOX |
| Małe opakowanie (liczba sztuk): | 4 |
| Duży pakiet (PUDEŁKO): | 0 |
| Paleta (liczba sztuk): | 0 |
Parametry elektrofizyczne:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 173 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 173 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 138 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 745 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 16 [mΩ] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 464 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 6040 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.2 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.477 [°C/W] |
| RM - Pitch pins | 3.8 [mm] |
| RM1 - Rozstaw rzędów | 38 [mm] |
| W - Szerokość | 42.5 [mm] |
| L - Długość | 51.6 [mm] |
| H - Wysokość | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 52x43x12 [mm] |
| PIN wymiary | 1,4 [mm] |
| Lv - Length of outlets | 5.8 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
| Alternatywne produkty 1: | CAB011M12FM3 |