SiC Mosfet Power Module 1200V 79A 310W Case BL2
ID Code: | 189853 |
Producent: | Microchip Technology |
Cena z VAT : | 422,682767 € |
Cena bez VAT : | 349,324601 € |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | MSCSM120DDUM31CTBL2NG |
Magazyn centralny Zdice: | 0 szt |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
1 + | 349,324601 € | 422,682767 € | ||
5 + | 334,769955 € | 405,071646 € | ||
10 + | 320,214900 € | 387,460029 € | ||
25 + | 305,659435 € | 369,847916 € |
Oznaczenie producenta | MSCSM120DDUM31CTBL2NG |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Konfiguracja: | Bidir.Switch 2*(Dual Common Source) |
Specyfikacja: | SiC N-Channel MOSFET |
Budowa: | 4*FET-BD+4*D |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | BL2 |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
UL94 | V-0 |
Jednostki: | szt |
Waga: | 25.8 [g] |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 63 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
IR (reverse current) | 10 [µA] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 310 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 232 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 3020 pF |
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 44x36x9 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.483 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.854 [°C/W] |
L - Długość | 43.6 [mm] |
W - Szerokość | 35.7 [mm] |
H - Wysokość | 9.3 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.8 [mm] |