SP6-P package
• Replaces up to six SOT-227 parts
• Height compatible with SOT-227
• Low-inductance solder pins
• High current capability
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | MSCSM120TAM11CTPAG |
Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Konfiguracja: | Half Bridge 3*(Phase Leg) |
Specyfikacja: | SiC N-Channel MOSFET |
Budowa: | 6*FET-BD+6*D |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SP6-P |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 275 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 4 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1042 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 696 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 9060 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 108x62x11 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.075 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.144 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.573 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.54 [mm] |
L - Długość | 108 [mm] |
W - Szerokość | 62 [mm] |
H - Wysokość | 11.5 [mm] |
PIN wymiary | 0.8 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.6 [mm] |