Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

MSCSM120TAM31CT3AG

SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack

szt
ID Code:186279
Producent:Microchip Technology
Cena z VAT : 522,3876 €
Cena bez VAT : 431,7253 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: MSCSM120TAM31CT3AG
Magazyn centralny Zdice: 0 szt
Jednostki:: szt
!_prehled mnozstevnich slev_!
IlośćCena bez VATCena z VAT
1 + 431,7253 €522,3876 €
5 + 413,7362 €500,6208 €
10 + 395,7480 €478,8551 €
25 + 377,7594 €457,0889 €
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
The MSCSM120TAM31CT3AG device is designed for the following applications: • Uninterruptible Power Supplies • Switched Mode Power Supplies • EV motor and traction drive • Welding converters
• SiC Power MOSFET , High speed switching, Low RDS(on), Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, Zero reverse recovery, Zero forward recovery, Temperature Independent switching behavior, Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance • Kelvin source for easy drive • Internal thermistor for temperature monitoring • Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMSCSM120TAM31CT3AG 
Typ składnika:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguracja:Bridge 3f 
Specyfikacja:!_sic n-channel mosfet_! 
Budowa:6*FET-BD+6*D 
Rodzaj materiału:!_sic full_! 
RoHSTak 
REACHNie 
Type of casing:MODUL 
Obudowa:!_sp3f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:125 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)395  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)31 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3020 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)125 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
RM - Pitch pins3.81 [mm]
RM1 - Rozstaw rzędów 38 [mm]
W - Szerokość 42.5 [mm]
L - Długość 73.4 [mm]
H - Wysokość 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
PIN wymiary1,35 [mm]
Lv - Length of outlets5.3 [mm]

Alternatywy i zamienniki

Alternatywa 1:183781 - CCS050M12CM2 (CRE) 
Alternatywne produkty 1:CCB032M12FM3 

!_potrebujete poradit ?_! MSCSM120TAM31CT3AG Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji