Republika Czeska (čeština) angielski Niemcy (Deutsch) Austria (Deutsch) Szwajcaria (Deutsch) Słowacja (slovenčina) Węgry (magyar) Rumunia (Română) Francja (français) Włochy (italiano) Polska (polski) Estonia (eesti keel) Rosja (pусский) Hiszpania (español) Słowenia (slovenščina) Chorwacja (hrvatski) Bułgaria (български)
Masz żadnych produktów w koszyku

MSCSM170AM058CD3AG

MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
MSCSM170AM058CD3AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM170AM058CD3AG Microchip Technology - Microsemi
szt
ID Code:186278
Producent:Microchip Technology - Microsemi
Cena z VAT : 1 358,2089 €
Cena bez VAT : 1 122,4867 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: MSCSM170AM058CD3AG
Magazyn centralny Zdice: 0 szt
Zewnętrzna pamięć (czas dostawy 5÷10 dni): 0 szt
Jednostki:: szt
!_prehled mnozstevnich slev_!
IlośćCena bez VATCena z VAT
1 + 1 122,4867 €1 358,2089 €
5 + 1 075,7427 €1 301,6486 €
10 + 1 028,9593 €1 245,0407 €
25 + 982,1759 €1 188,4328 €
MOSFET 1700V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM170AM058CD3AG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMSCSM170AM058CD3AG 
Type of casing:MODUL 
Obudowa:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Typ składnika:!_n-mosfet_! 
Konfiguracja:!_half bridge_! 
Rodzaj materiału:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:350 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)277 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)277 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1641  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)7.5 [mΩ]
tf (turn-off=fall time)30 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)1068 [nC]
Cin/CL Load Capacitance19800 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.091 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.101 [°C/W]
PIN wymiary0.00 [mm]

Alternatywy i zamienniki

Alternatywa 1:177329 - CAS300M17BM2 (WOL) 
Alternatywa 2:186080 - SKM260MB170SCH17 (SMK) 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM170AM058CD3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Oznaczenie producenta: F05-AL2-62x106mm  
Ilość [szt]1+10+50+100+
EUR/szt1,77061,69191,65261,4558
Całkowity czas: 534
Producent: -  
RoHS
Wszystkie ceny podane są bez VAT i nie obejmują koszty przesyłki, które zostaną dodane do zamówienia jako oddzielna pozycja.

Zapytanie MSCSM170AM058CD3AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Zapytanie:*
Proszę przepisać kod:* antispam
     Więcej informacji

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji