250V 310mA/25°C 1250mA/10ms 5000mO ,1W/Ta25° Rth=125°C OBSOLETE
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | OBSOLETE |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 1*FET-BD |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | THT |
Obudowa [inch] : | TO- 92/3-W |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Nie |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 0.37 [g] |
Rodzaj opakowania: | AMMO |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 2000 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 250 [V] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 1 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 3V |
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V) | 7500 [mΩ] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 2800 [mΩ] |
Cin/CL Load Capacitance | 100 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | TO- 92 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 125 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 5.08 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 2.54 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Długość | 3.9 [mm] |
W - Szerokość | 4.6 [mm] |
H - Wysokość | 5.1 [mm] |
PIN wymiary | 0,44x0,41 [mm] |
Lv - Length of outlets | 13.7 [mm] |