Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

FF150R12ME3G

IGBT 1200V

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
FF150R12ME3G Infineon Technologies
FF150R12ME3G Infineon Technologies
szt
ID Code:158513
Producent:Infineon Technologies
Cena z VAT : 101,932464 €
Cena bez VAT : 84,241706 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: FF150R12ME3G
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
1 + 84,241706 €101,932464 €
3 + 82,938389 €100,355451 €
5 + 82,306477 €99,590837 €
10 + 81,635071 €98,778436 €
IGBT 1200V

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaFF150R12ME3G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguracja:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Budowa:2*(IGBT+D) 
Liczba obwodów 2 ks
Rodzaj sprawy:Modul 
Obudowa [inch] :SEMiX-3p 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:450 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):10 

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)150 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)4600 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)695  [W]
tr (Turn-on / rise time)90 [ns]
tf (turn-off=fall time)130 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1400 [nC]
Cin/CL Load Capacitance10500 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Wymiary (L*W*H) [mm]:150x62x21 
Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)125 [°C]
Rthjc (case)0.18 [°C/W]
L - Długość 150 [mm]
W - Szerokość 62 [mm]
H - Wysokość 21 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! FF150R12ME3G Infineon Technologies

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji