-100V -40A/25°C -29A/100°C 60mO *S , 200W/25°C Rthjc=0.75°C/W
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | IRF5210PBF |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 1*FET-BD |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | THT |
Obudowa [inch] : | TO-220AB |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 2.4 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 50 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -100 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | -29 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 200 [W] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 3.8 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 60 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 170 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 180 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 2700 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | TO-220 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.75 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.5 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Długość | 15 [mm] |
L1 - Długość | 6.5 [mm] |
W - Szerokość | 10 [mm] |
H - Wysokość | 4 [mm] |
PIN wymiary | 1 [mm] |
Lv - Length of outlets | 12.7 [mm] |