IRF5804TR
-40V -2,5A/25°C/2W -2A/70°C/1,3W ,-10V/198mO -4,5V/334mO Rthj
!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
Nie ma już w magazynie
ID Code: | 129766 |
Producent: | Infineon Technologies |
Cena: |
na życzenie |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
|
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | IRF5804TRPBF |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT |
-40V -2,5A/25°C/2W -2A/70°C/1,3W ,-10V/198mO -4,5V/334mO Rthj
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | IRF5804TRPBF |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 1*FET-BD |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | SOT-223/6 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Rodzaj opakowania: | K18A |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 3000 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -40 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | -2 [A] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 2 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 5V |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 334 [mΩ] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 198 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 24 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 5.7 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 680 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | SOT-223/6 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 62.5 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 1.27 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 7 [mm] |
L - Długość | 6.5 [mm] |
W - Szerokość | 3.5 [mm] |
H - Wysokość | 1.8 [mm] |
PIN wymiary | 0,46x0,28 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1.04 [mm] |