Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

IRF7353D1

30V 6.5A/25°C 5.2A/70°C 29mO +20 *L , Rthja=62.5°C/W SO8

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
IRF7353D1 Infineon Technologies
IRF7353D1 Infineon Technologies
IRF7353D1 Infineon Technologies
Nie ma już w magazynie
ID Code:129793
Producent:Infineon Technologies
Cena: na życzenie
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: IRF7353D1PBF
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
30V 6.5A/25°C 5.2A/70°C 29mO +20 *L , Rthja=62.5°C/W SO8

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaIRF7353D1PBF 
Typ składnika:FET Tranzistor 
KategorieFET+Diode (FETKY) 
Konfiguracja:Single 1*(T-BD+Separate D) 
Specyfikacja:Enhancement Mode 
Budowa:1*FET-BD+1*D 
Liczba obwodów 1 ks
Rodzaj sprawy:SMD 
Obudowa [inch] :SO- 8 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:0.7 [g]
Rodzaj opakowania:TUBE 
Małe opakowanie (liczba sztuk):95 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 30 [V]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)6.5 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)5.2 [A]
UF (maximum forward voltage)0.5 [VDC]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)3600 [V/µs]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)2 [W]
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)32 [mΩ]
Qg (Total Gate Charge)22 [nC]
Cin/CL Load Capacitance650 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Wymiary (L*W*H) [mm]:4.90*3.90*1.70 
Tmin (minimalna temperatura robocza)-55 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthja (ambient)62.5 [°C/W]
RM - Pitch pins1.27 [mm]
RM1 - Rozstaw rzędów [mm]
Number of Pins
L - Długość 4.9 [mm]
W - Szerokość 3.9 [mm]
H - Wysokość 1.7 [mm]
PIN wymiary0,41x0,25 [mm]
Lv - Length of outlets1.1 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! IRF7353D1 Infineon Technologies

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji