-100V -14A/25°C -9.9A/100°C 200mO , 75W/25°C Rthjc=2°C/W
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | IRF9530NS |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 1*FET-BD |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | D2-PAK |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Nie |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 4.8 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 50 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -100 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | -10 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 79 [W] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 3.8 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 200 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 130 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 58 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 760 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | D2-PAK |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 1.9 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.54 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 5.08 [mm] |
L - Długość | 8.7 [mm] |
W - Szerokość | 10 [mm] |
H - Wysokość | 4.4 [mm] |
PIN wymiary | 0,85x0,55 [mm] |
Lv - Length of outlets | 2.6 [mm] |