Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | IRG4BC30KDPBF |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | single 1*(T+D) |
Budowa: | 1*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | THT |
Obudowa [inch] : | TO-220AB |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 2.4 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 50 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 28 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 16 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1.7 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.21 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 100 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 60 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 42 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 120 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 67 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 920 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | TO-220 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 1.2 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 80 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.5 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Długość | 15 [mm] |
L1 - Długość | 6.5 [mm] |
W - Szerokość | 10 [mm] |
H - Wysokość | 4 [mm] |
PIN wymiary | 1 [mm] |
Lv - Length of outlets | 12.7 [mm] |