- Home
- Półprzewodniki
- Tranzystory
- IGBT
- Full Silicon
- IRGP30B60KD-E
IRGP30B60KD-E
IGBT 600V
Nie ma już w magazynie
| ID Code: | 136651 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Cena: | na życzenie |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | na życzenie |
| Całkowity czas: | 0 szt |
| Oznaczenie producenta: | IRGP30B60KD-EPBF |
| Jednostki:: | szt |
| Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT |
IGBT 600V
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | IRGP30B60KD-EPBF |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguracja: | single 1*(T+D) |
| Budowa: | 1*(IGBT+D) |
| Liczba obwodów | 1 ks |
| Rodzaj sprawy: | THT |
| Obudowa [inch] : | TO-247AC_3 |
| Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 7.2 [g] |
| Rodzaj opakowania: | TUBE |
| Małe opakowanie (liczba sztuk): | 25 |
Parametry elektrofizyczne:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 60 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 30 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.55 [VDC] |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.95 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 304 [W] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 125 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 39 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 40 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 102 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 1750 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Wymiary (L*W*H) [mm]: | TO-247 |
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.41 [°C/W] |
| Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
| RM - Pitch pins | 5.45 [mm] |
| Number of Pins | 3 |
| L - Długość | 20 [mm] |
| W - Szerokość | 15.6 [mm] |
| H - Wysokość | 5 [mm] |
| PIN wymiary | 1,20x0,60 [mm] |
| Lv - Length of outlets | 14.6 [mm] |