Ublock=180V, Uswitch=190÷215V ,Thyristor SIDAC
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | K2000G |
Typ składnika: | Diac |
Kategorie | Diode Diac |
Konfiguracja: | single |
Specyfikacja: | Si-Silicon |
Rodzaj sprawy: | THT |
Obudowa [inch] : | D-3.0x 6.3 |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 0.44 [g] |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1000 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1 [A] |
UBR / UZ nominal | 180 [V] ?UBR nominal value - Breakdown Voltage @ IT (Test Current) |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 1500 [V/µs] |
di/dt (critical rate of rise of on-state current) | 150 [A/µs] |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | D=3x6 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
Rthja (ambient) | 75 [°C/W] |
Number of Pins | 2 |
D - Średnica zewnętrzna | 3 [mm] |
L - Długość | 6.3 [mm] |
PIN wymiary | d=0,80 [mm] |
Lv - Length of outlets | 28.1 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
Alternatywa 1: | - TPA200 &ST () |