Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

MBR1100RLG /p

100V 1A/85°C 50A/10ms 0.68V/1A/125° , Rthjl 80°C/W

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
MBR1100RLG /p ON Semiconductor (Farchild)
MBR1100RLG /p ON Semiconductor (Farchild)
MBR1100RLG /p ON Semiconductor (Farchild)
Nie ma już w magazynie
ID Code:132272
Producent:ON Semiconductor (Farchild)
Cena: na życzenie
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: MBR1100RLG
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
100V 1A/85°C 50A/10ms 0.68V/1A/125° , Rthjl 80°C/W

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMBR1100RLG 
Typ składnika:Diode Schottky Silicon 
KategorieDiode Schottky Axial 
Konfiguracja:single (1D) 
Liczba obwodów 1 ks
Rodzaj sprawy:THT 
Obudowa [inch] :D-2.6x5.1 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:0.34 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):5000 

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)[A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)[A]
UF (maximum forward voltage)0.79 [VDC]
IR (reverse current)500 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]

Parametry termiczne i mechaniczne:

Wymiary (L*W*H) [mm]:D=2.6x5.1 
Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Number of Pins
D - Średnica zewnętrzna 2.6 [mm]
L - Długość 5.1 [mm]
PIN wymiaryd=0,80 [mm]
Lv - Length of outlets28.7 [mm]

Alternatywy i zamienniki

Alternatywa 1:- SB1100 /p DI () 
Alternatywne produkty 1:SB1100 

!_potrebujete poradit ?_! MBR1100RLG /p ON Semiconductor (Farchild)

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji