Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

MRA4007T3G

1000V 1A/TL75°C 30A/8ms/25°C Uf<1.2V , Rtha<45°C/W

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
MRA4007T3G ON Semiconductor (Farchild)
MRA4007T3G ON Semiconductor (Farchild)
MRA4007T3G ON Semiconductor (Farchild)
szt
ID Code:148088
Producent:ON Semiconductor (Farchild)
Cena z VAT : 0,143876 €
Cena bez VAT : 0,118906 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: MRA4007T3G
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
5 + 0,118906 €0,143876 €
50 + 0,107015 €0,129488 €
500 + 0,099881 €0,120856 €
1000 + 0,083234 €0,100713 €
1000V 1A/TL75°C 30A/8ms/25°C Uf<1.2V , Rtha<45°C/W

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaMRA4007T3G 
Typ składnika:Diode Standard 
KategorieDiode Standard SMD 
Konfiguracja:single (1D) 
Rodzaj sprawy:SMD 
Obudowa [inch] :SMA 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:0.1 [g]
Rodzaj opakowania:K18A 
Małe opakowanie (liczba sztuk):5000 

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)[A]
IF(AV) (Tc/Ta=150÷159°C)[A]
UF (maximum forward voltage)1.1 [VDC]
IR (reverse current)10 [µA]

Parametry termiczne i mechaniczne:

Wymiary (L*W*H) [mm]:2.65*4.20*2.23 
Tmin (minimalna temperatura robocza)-50 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)175 [°C]
Rthja (ambient)88.3 [°C/W]
RM - Pitch pins5.15 [mm]
Number of Pins
L - Długość 2.65 [mm]
W - Szerokość 4.2 [mm]
H - Wysokość 2.23 [mm]
PIN wymiary1,50x0,20 [mm]
Lv - Length of outlets1.5 [mm]

Alternatywy i zamienniki

Alternatywa 1:- S1M &DI () 

!_potrebujete poradit ?_! MRA4007T3G ON Semiconductor (Farchild)

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji