Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

STPS20120CFP

120V 2x10A/125°C ,

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
STPS20120CFP ST Microelectronics
STPS20120CFP ST Microelectronics
STPS20120CFP ST Microelectronics
szt
ID Code:137524
Producent:ST Microelectronics
Cena z VAT : 2,127840 €
Cena bez VAT : 1,758546 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: STPS20120CFP
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
1 + 1,758546 €2,127841 €
5 + 1,588619 €1,922229 €
10 + 1,422644 €1,721399 €
25 + 1,339656 €1,620984 €
120V 2x10A/125°C ,

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaSTPS20120CFP 
Typ składnika:Diode Schottky Silicon 
KategorieDiode Schottky THT 
Konfiguracja:com.cathode 2D 
Liczba obwodów 2 ks
Rodzaj sprawy:THT 
Obudowa [inch] :TO-220FP 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:2.4 [g]
Rodzaj opakowania:TUBE 
Małe opakowanie (liczba sztuk):50 

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)20 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)20 [A]
UF (maximum forward voltage)0.92 [VDC]
IR (reverse current)10 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)999999 [V/µs]

Parametry termiczne i mechaniczne:

Wymiary (L*W*H) [mm]:TO-220 
Tmin (minimalna temperatura robocza)-55 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthjc (case)4.5 [°C/W]
RM - Pitch pins2.5 [mm]
Number of Pins
D - Średnica zewnętrzna [mm]
L - Długość 29 [mm]
L1 - Długość 9.1 [mm]
W - Szerokość 10.3 [mm]
H - Wysokość 4.5 [mm]
T - grubość2.6 [mm]
PIN wymiary0,9 [mm]
Lv - Length of outlets13.2 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! STPS20120CFP ST Microelectronics

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji