+20V/-20V; -2.2/2.7A/25°C; -1.7/2.2A/70°C; *LL; 135/90mO; 0.96W; Rthja=130°
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | IRF5851TR |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N+P-Channel |
Konfiguracja: | Single 2*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 2*FET-BD |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | SOT-223/6 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Nie |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Rodzaj opakowania: | K18A |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 3000 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 20/-20 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 2.2 [A] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 0.96 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 3V |
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V) | 120 [mΩ] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 90 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 38 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 4 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 400 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | SOT-223/6 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 130 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 1.27 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 7 [mm] |
L - Długość | 6.5 [mm] |
W - Szerokość | 3.5 [mm] |
H - Wysokość | 1.8 [mm] |
PIN wymiary | 0,46x0,28 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1.04 [mm] |